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PHT6NQ10T,135 /MOSFET TAPE13 PWR-MOS
PHT6NQ10T,135的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:21 nC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.7 mm

长度:6.7 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.7 mm

商标:Nexperia

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:/T3 PHT6NQ10T

单位重量:250 mg

供应商PHT6NQ10T,135
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深圳和润天下电子科技有限公司PHT6NQ10T,135深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PHT6NQ10T,135深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司PHT6NQ10T,135深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市辉华拓展电子有限公司PHT6NQ10T,135深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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万三科技(深圳)有限公司PHT6NQ10T,135深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市芯泽盛世科技有限公司PHT6NQ10T,135龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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PHT6NQ10T,135的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
PHT6NQ10T,135NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE13 PWR-MOS4000+:¥2.95
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Digi-Key 得捷电子
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PHT6NQ10T,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS1:¥5.1528
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PHT6NQ10T,135Nexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥5.01
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