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PHT4NQ10T,135 /MOSFET TAPE13 PWR-MOS
PHT4NQ10T,135的规格信息
PHT4NQ10T,135的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.7 mm

长度:6.7 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.7 mm

商标:Nexperia

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:/T3 PHT4NQ10T

单位重量:250 mg

供应商PHT4NQ10T,135
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深圳和润天下电子科技有限公司PHT4NQ10T,135 MOS(场效应管)深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PHT4NQ10T,135深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司PHT4NQ10T,135深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市毅创腾电子科技有限公司PHT4NQ10T,135深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司PHT4NQ10T,135深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市凌特半导体科技有限公司PHT4NQ10T,135广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市博浩通科技有限公司PHT4NQ10T,135华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市科思奇电子科技有限公司PHT4NQ10T,135上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市智连鑫科技有限公司PHT4NQ10T,135深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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PHT4NQ10T,135连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.9W 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO292.90 Kbytes共12页PHT4NQ10T,135的PDF下载地址
PHT4NQ10T,135的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
PHT4NQ10T,135NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE13 PWR-MOS4000+:¥1.73
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PHT4NQ10T,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS1:¥4.4522
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立创商城
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