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PHN203,518 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PHN203,518的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.3A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:934055442518PHN203 /T3PHN203 /T3-ND

供应商PHN203,518
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深圳和润天下电子科技有限公司PHN203,518 MOS(场效应管)深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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PHN203,518NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品10000+:¥2.561+:¥5.51
10+:¥4.42
100+:¥3.43
500+:¥3.02
1000+:¥2.96
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25+:¥5.11
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