典型栅极电荷@Vgs10 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds250 pF V @ 20

安装类型表面贴装

宽度4mm

封装类型SO

尺寸5 x 4 x 1.45mm

引脚数目8

最低工作温度-65 °C

最大功率耗散2000 mW

最大栅源电压20 V

最大漏源电压30 V

最大漏源电阻值0.1（N 通道）Ω，0.25（P 通道）Ω

最大连续漏极电流2.3（P 通道）A，3.5（N 通道）A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目2

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N，P

配置双、双漏极

长度5mm

高度1.45mm