制造商:Panasonic

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:GaN

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:X-GaN

系列:PGA26E19BA

商标:Panasonic

下降时间:2.4 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:5.2 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:3.4 ns

典型接通延迟时间:3.4 ns