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PDTA114ET / Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R
PDTA114ET的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

集电极 - 发射极电压:50 V

安装:Surface Mount

包装类型:TO-236AB

引脚数:3

直流电流增益(最小值):30

工作温度分类:Military

弧度硬化:No

晶体管极性:PNP

删除:Compliant

直流电流增益:30

Collector Emitter Voltage V(br)ceo::50V

Transition Frequency ft::180MHz

功耗::250mW

DC Collector Current::100mA

DC Current Gain hFE::30

Operating Temperature Min::-65°C

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::SOT-23

No. of Pins::3

MSL::MSL 1 - Unlimited

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围::-65°C to +150°C

封装::Cut Tape

Weight (kg):0.000008

Tariff No.:85412100

供应商PDTA114ET
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集好芯城PDTA114ET深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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PDTA114ETLow VCEsat (BISS) transistors PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO948.33 Kbytes共12页PDTA114ET的PDF下载地址PBSS5250T,PBSS5540X,CMUT3410,PBSS2540M,PBSS8110Z,PBSS5520X,PBSS5330X,PBSS302PD,PBSS4160T,PBSS8110Y
PDTA114ETPNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO181.68 Kbytes共14页PDTA114ET的PDF下载地址
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PDTA114ET,215集电极电流Ic:100mA 额定功率:250mW 晶体管类型:PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50VNexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO722.88 Kbytes共17页PDTA114ET,215的PDF下载地址
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PDTA114ET-QR晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率NEXPERIANEXPERIA的LOGO859.18 Kbytes共18页PDTA114ET-QR的PDF下载地址
PDTA114ET的全球分销商及价格
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PDTA114ET,215NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-73000+:¥0.22
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PDTA114ET,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品10000+:¥0.171+:¥2.2
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PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB$0.16000
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PDTA114ET,215NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-73000+:¥0.22
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PDTA114ET,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品10000+:¥0.17
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PDTA114ET/DG/B2215NXP USA Inc.SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR$0.02000
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PDTA114ET,235Nexperia双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW1:¥1.3108
10:¥1.1639
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PDTA114ET,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品10000+:¥0.171+:¥2.2
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Verical
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