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PDN3909S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道
PDN3909S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.1A

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻46mΩ @ 2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.56W

类型P沟道

供应商PDN3909S
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PDN3909S连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道Potens(博盛半导体)Potens(博盛半导体)的LOGO940.71 Kbytes共5页PDN3909S的PDF下载地址
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PDN3909SPotens(博盛半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道5+:¥0.575808
50+:¥0.425868
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500+:¥0.370788
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