PDK6912
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.79W(Tc) 类型:N沟道
PDK6912的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻75mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.79W(Tc)
类型N沟道
PDK6912
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| PDK6912 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.79W(Tc) 类型:N沟道 | Potens(博盛半导体) |  | 556.45 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | PDK6912 | Potens(博盛半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.79W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.0717 10+:¥0.8093 30+:¥0.7611 100+:¥0.7129 500+:¥0.6915 1000+:¥0.6809
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