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PD54008L / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 25 Volt 5 Amp
PD54008L的规格信息
PD54008L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

商标:STMicroelectronics

Id-连续漏极电流:5 A

Vds-漏源极击穿电压:25 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :15 V

增益:15 dB at 500 MHz

输出功率:8 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT (5x5)

封装:Reel

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1 GHz

Pd-功率耗散:26.7 W

系列:PD54008L

工厂包装数量:3000

类型:RF Power MOSFET

供应商PD54008L
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PD54008L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥75.28
10+:¥67.67
25+:¥61.54
100+:¥55.71
250+:¥51.04
500+:¥46.67
1000+:¥40.543000+:¥39.151+:¥40.66
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PD54008LSTMicroelectronics- Tape and Reel价格未公开
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PD54008L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥75.28
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1000+:¥40.543000+:¥39.15
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Mouser 贸泽电子
PD54008L-ESTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor1:¥73.3031
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PD54008L-ESTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥75.28
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1000+:¥40.543000+:¥39.151+:¥40.661+:¥63.89
10+:¥58.29
25+:¥53.55