FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.2A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：210pF @ 20V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：3.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.4 欧姆 @ 600mA，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

封装形式Package：SOT-89

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：250V

连续漏极电流ID：1.2A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：210pF @ 20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 欧姆 @ 600mA，10V

FET 类型：N 沟道

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.2A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs