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PBSS5580PA,115 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 4A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
PBSS5580PA,115的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-2020-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V

集电极—基极电压 VCBO:- 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V

最大直流电集电极电流:- 5 A

增益带宽产品fT:110 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:265

高度:0.61 mm

长度:2.1 mm

封装:Reel

宽度:2.1 mm

商标:Nexperia

集电极连续电流:- 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:70

Pd-功率耗散:2.1 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

供应商PBSS5580PA,115
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Arrow(艾睿)		PBSS5580PA,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:￥1.57
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