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PBSS4140DPN,115 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 1A
PBSS4140DPN,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:1 A

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:300 at 500 mA, 5 V

高度:1 mm

长度:3.1 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.7 mm

商标:Nexperia

直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 500 mA, 5 V at NPN, 200 at 1 A, 5 V at NPN, 300 at 100 mA, 5 V at PNP, 250 at 500 mA, 5 V at PNP

Pd-功率耗散:370 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:PBSS4140DPN T/R

单位重量:20 mg

供应商PBSS4140DPN,115
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芯莱德电子(香港)有限公司PBSS4140DPN,115深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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PBSS4140DPN,115集电极电流Ic:1A 额定功率:600mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:40VNexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO342.90 Kbytes共11页PBSS4140DPN,115的PDF下载地址
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PBSS4140DPN,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A3000+:¥2
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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PBSS4140DPN,115Nexperia双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 1A1:¥5.3788
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100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
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PBSS4140DPN,115Nexperia(安世)集电极电流Ic:1A 额定功率:600mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:40V1+:¥1.2038
10+:¥0.907
30+:¥0.8525
100+:¥0.798
500+:¥0.7738
1000+:¥0.7618