PB521BX
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道
PB521BX的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A
栅源极阈值电压850mV @ 250uA
漏源导通电阻40mΩ @ 1A,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W
类型P沟道
PB521BX
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PB521BX | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道 | U-NIK(旭康) |  | 437.96 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | PB521BX | U-NIK(旭康) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道 | 1+:¥1.0072 10+:¥0.7598 30+:¥0.7143 100+:¥0.6689 500+:¥0.6487 1000+:¥0.6387
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