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PB521BX /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道
PB521BX的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压850mV @ 250uA

漏源导通电阻40mΩ @ 1A,1.8V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W

类型P沟道

供应商PB521BX
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PB521BX连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道U-NIK(旭康)U-NIK(旭康)的LOGO437.96 Kbytes共5页PB521BX的PDF下载地址
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PB521BXU-NIK(旭康)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道1+:¥1.0072
10+:¥0.7598
30+:¥0.7143
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