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PA102FMG /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：215mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道
PA102FMG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻215mΩ @ 1A,2.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.38W

类型P沟道

供应商PA102FMG
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现代芯城（深圳）科技有限公司PA102FMGwww.nowchip.com0755-27381274
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