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P9006EVG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
P9006EVG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.5A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻90mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商P9006EVG
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集好芯城P9006EVG深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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P9006EVGNIKO-SEM(尼克森)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.3041
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