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P2504EDG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25.8mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道
P2504EDG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻25.8mΩ @ 18A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)42W(Tc)

类型P沟道

供应商P2504EDG
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现代芯城(深圳)科技有限公司P2504EDGwww.nowchip.com0755-27381274
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P2504EDG连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25.8mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:P沟道U-NIK(旭康)U-NIK(旭康)的LOGO493.83 Kbytes共5页P2504EDG的PDF下载地址
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