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P2003EVG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
P2003EVG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻20mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商P2003EVG
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深圳亿恒升电子有限公司P2003EVG都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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苏先生,李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司P2003EVG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司P2003EVGwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市毅创腾电子科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市坤融电子有限公司P2003EVG航都大厦10I0755-23990975
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市安富世纪电子有限公司P2003EVG深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市天卓伟业电子有限公司P2003EVG.深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城P2003EVG深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司P2003EVG深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司P2003EVG世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市赛美科科技有限公司P2003EVG广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宸远科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市辰芯伟业科技有限公司P2003EVG华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宇浩扬科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市星宇佳科技有限公司P2003EVG深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市全秀电子有限公司P2003EVG东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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P2003EVGP-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO293.02 Kbytes共5页P2003EVG的PDF下载地址P3503EVG,P06B03LVG,P4404EDG,P1402CDG,P8503BMG,P75N02LSG,P45N03LTG,P75N02LD,P2804BVG,P3057LD
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P2003EVGNIKO-SEM(尼克森)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.3008
10+:¥0.976
30+:¥0.9163
100+:¥0.8566
500+:¥0.8301
1000+:¥0.817