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NTZD3152PT1G /MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel
NTZD3152PT1G的规格信息
NTZD3152PT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:430 mA

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms, 2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:1.8 V

Qg-栅极电荷:1.7 nC, 1.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:280 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:NTZD3152P

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:1.2 mm

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1 S, 1 S

下降时间:19 ns, 19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns, 12 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 10 ns

单位重量:3 mg

供应商NTZD3152PT1G
NTZD3152PT1G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司NTZD3152PT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司NTZD3152PT1G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
集好芯城NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司NTZD3152PT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市振钰科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930
廖先生Email:2885411644@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司NTZD3152PT1G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市水星电子有限公司NTZD3152PT1G地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市橙椒科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030,13418730030
13418830030,13418730030
钟小姐,王先生Email:283906751@qq.com询价
深圳市捷芯微科技有限公司NTZD3152PT1G深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
13725554160
陈欣Email:jxwic888@163.com询价
NTZD3152PT1G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
NTZD3152PT1GSmall Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563 ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO98.81 Kbytes共5页NTZD3152PT1G的PDF下载地址
NTZD3152PT1G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
NTZD3152PT1GON SemiconductorNTZD3152PT1G Dual P-channel MOSFET Transistor; 0.43 A; 20 V; 6-Pin SOT-563+50:$0.26
+125:$0.26
+250:$0.26
+500:$0.25
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
NTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET Dual P-Ch 20V 430mA ESD SOT563500 : $0.2329
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
NTZD3152PT1GON SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel4000+:¥0.75
8000+:¥0.71
12000+:¥0.6501
28000+:¥0.61
100000+:¥0.53
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100000+:¥0.544000+:¥0.5199
12000+:¥0.51702+:¥0.6
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Arrow(艾睿)
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
RoHS : Compliant
100 : $0.1558
250 : $0.1385
500 : $0.1225
1,000 : $0.0995
3,000 : $0.0985
6,000 : $0.0864
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
NTZD3152PT1GON SemiconductorPFET SOT563 430MA 20V TR8,000 : $0.12
16,000 : $0.1091
36,000 : $0.1
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Bristol Electronics
NTZD3152PT1GON Semiconductor价格未公开
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Chip1Stop
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
RoHS : Compliant
25 : $0.144
500 : $0.131
2,000 : $0.109
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Digi-Key 得捷电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563$0.47000
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Digi-Key 得捷电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI$0.10000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-56310 : $0.362
1 : $0.48
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel4000+:¥0.75
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200000+:¥0.5199
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element14 Asia-Pacific
NTZD3152PT1GON SemiconductorDUAL P CHANNEL MOSFET -20V SOT-563
RoHS : Compliant
1 : $3.2
10 : $1.87
100 : $0.89
1,000 : $0.68
4,000 : $0.58
8,000 : $0.53
24,000 : $0.5
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Future Electronics
NTZD3152PT1GON SemiconductorDual P-Channel 20 V 500 mOhm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563
RoHS : Compliant
4,000 : $0.0768
12,000 : $0.0742
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Future(富昌)
NTZD3152PT1GON SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel4000+:¥0.75
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Mouser 贸泽电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET -20V -430mA Dual P-Channel1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
4,000:¥0.69947
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Mouser 贸泽电子
NTZD3152PT1GON SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel4000+:¥0.75
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10+:¥1.83
100+:¥0.87
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8000+:¥0.62
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48000+:¥0.56
100000+:¥0.54
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
NTZD3152PT1GON SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel4000+:¥0.75
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100+:¥0.87
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4000+:¥0.6501
8000+:¥0.62
24000+:¥0.62
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100000+:¥0.544000+:¥0.5199
12000+:¥0.51702+:¥0.61+:¥0.58
25+:¥0.57
50+:¥0.56
100+:¥0.56
300+:¥0.55
500+:¥0.54
1000+:¥0.54
5000+:¥0.54
元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics
NTZD3152PT1GON SemiconductorN/A500 : $0.09
1,000 : $0.09
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Verical
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R$0.0567
元器件资料网-Wuhan P&S的LOGO
Wuhan P&S
NTZD3152PT1GON SemiconductorSmall Signal MOSFET 20V, 430mA, Dual P Channel with ESD Protection, SOT5631 : $0.09
100 : $0.09
1,000 : $0.09
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
NTZD3152PT1GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):430mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:双P沟道5+:¥0.807664
50+:¥0.61048
150+:¥0.574262
500+:¥0.538045
2500+:¥0.521948
5000+:¥0.513994