标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 2.48A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：500pF @ 24V

功率 - 最大值：600mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

供应商器件封装：Micro8?

其它名称：NTTS2P03R2GOSNTTS2P03R2GOS-NDNTTS2P03R2GOSTR