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NTR5198NLT1G /MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
NTR5198NLT1G的规格信息
NTR5198NLT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:142 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:5.1 nC

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:NTR5198NL

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:3 S

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:8 mg

供应商NTR5198NLT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司NTR5198NLT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司NTR5198NLT1G航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
集好芯城NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市德州众泰科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82780836
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深圳市百域芯科技有限公司NTR5198NLT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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芯莱德电子(香港)有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市振钰科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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深圳市赛美科科技有限公司NTR5198NLT1G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
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深圳市骏凯诚科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市水星电子有限公司NTR5198NLT1G地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市橙椒科技有限公司NTR5198NLT1G深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030,13418730030
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Arrow(艾睿)
NTR5198NLT1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1+:¥3.63
10+:¥2.54
25+:¥2.09
100+:¥1.6701
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Digi-Key 得捷电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI$0.10000
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Digi-Key 得捷电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3$0.46000
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Digi-Key 得捷电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1+:¥3.63
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250+:¥1.22
500+:¥0.9901
1000+:¥0.75
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element14 e络盟电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1+:¥3.63
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Future(富昌)
NTR5198NLT1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1+:¥3.63
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Mouser 贸泽电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1+:¥3.63
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Mouser 贸泽电子
NTR5198NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
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立创商城
NTR5198NLT1GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:N沟道5+:¥0.644773
50+:¥0.495654
150+:¥0.468265
500+:¥0.440876
2500+:¥0.428703
5000+:¥0.422688