制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:ON Semiconductor

Id-连续漏极电流:125 A

Vds-漏源极击穿电压:24 V

Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.72 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:21 ns

正向跨导 - 最小值:48 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:39 ns

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:11 ns