FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Ta），191A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：150nC @ 11.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7500pF @ 12V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 30A，10V

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs