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NTE66 /NTE ELECTRONICS  NTE66  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 14A, TO-220
NTE66的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-220

引脚数:3

功耗:77.0 W

漏源极电阻:160 mΩ

极性:N-Channel

漏源极电压(Vds):100 V

漏源击穿电压:100 V

连续漏极电流(Ids):14.0 A

安装方式:Through Hole

含铅标准:Lead Free

RoHS标准:Compliant

供应商NTE66
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深圳市芯幂科技有限公司NTE66深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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NTE66NTE Electronics, Inc.MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.1Ohm,ID 14A,TO-220,PD 77W,VGS +/-20V,-55C+1:$8.96
+50:$8.52
+100:$8.16
+250:$7.71
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NTE66NTE Electronics, IncMOSFET N-CHANNEL 100V 14A TO220$6.44000
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NTE66NTE Electronics IncN CHANNEL MOSFET 100V 14A TO-220
RoHS : Compliant
1 : $78.599998
25 : $73.699997
50 : $65.400002
100 : $62.200001
250 : $61.0
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NTE66NTE Electronics Inc250 : $5.3
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