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NTE221 /Mosfet n-Channel Dual Gate 20v Idss=18ma To-72 Case Vhf Amp/Mixer Applications
NTE221的规格信息
NTE221的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

引脚数:3

功耗:1000 400 mW

极性:Dual N-Channel

漏源极电压(Vds):20.0 V

漏源击穿电压:20.0 V

连续漏极电流(Ids):18.0 mA

安装方式:Through Hole

RoHS标准:Compliant

产品生命周期:Obsolete

供应商NTE221
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NTE221MOSFET Dual Gate, N-Channel for VHF TV Receivers Applications NTE[NTE Electronics]NTE[NTE Electronics]的LOGO24.77 Kbytes共2页NTE221的PDF下载地址3SK222,3SK253,3N201,IRF130SMD,IRFY430M,3SK254,STS8DNF3LL,3SK226,IRF240,IRFY440
NTE221的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
NTE221NTE Electronics, IncMOSFET N-CH VHF AMP/MIX$12.19000
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NTE221NTE Electronics IncTO-72/CASEDUAL GATE MOSFETN-CHANNEL VHF AMP/MIX1 : $11.15
10 : $10.65
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NTE221NTE Electronics Inc100 : $12.18
250 : $11.66
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NTE221NTE Electronics IncMOSFET-N-CH VHF AMP/MIX$13.56
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NTE221NTE Electronics IncDUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:18mA; Power Dissipation Pd:400mW; RF Transistor Case:TO-18; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Packaging:Each ;RoHS Compliant: Yes100 : $11.95
250 : $11.46