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NTE199 /TO-92 NPN 50V 0.1A
NTE199的规格信息
NTE199的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-92

引脚数:3

功耗:360 mW

极性:NPN, N-Channel

集电极最大允许电流:集电极最大允许电流: 0.1A

击穿电压(集电极-发射极):50.0 V

集电极击穿电压:70.0 V

安装方式:Through Hole

含铅标准:Lead Free

RoHS标准:Compliant

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NTE199NTE Electronics, Inc.Transistor, Bipolar, Si, NPN, Amplifier, High Gain, VCEO 50V, IC 100mA, PD 360mW+1:$1.57
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NTE199NTE Electronics IncBIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:360mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:800; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes1,000 : $1.24
2,000 : $1.19