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NTDV3055L104T4G /MOSFET NFET 60V 12A 0.104R
NTDV3055L104T4G的规格信息
NTDV3055L104T4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:104 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:NTD3055L104

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:80 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:210 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:STDV3055L104T4G

单位重量:4 g

供应商NTDV3055L104T4G
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
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深圳市芯幂科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
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深圳市仓实科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市坤融电子有限公司NTDV3055L104T4G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市赛美科科技有限公司NTDV3055L104T4G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳和润天下电子科技有限公司NTDV3055L104T4G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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集好芯城NTDV3055L104T4G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城NTDV3055L104T4G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市高捷芯城科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市华芯盛世科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NTDV3055L104T4G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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NTDV3055L104T4GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET 60V 12A 0.104R2500+:¥2.2
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Mouser 贸泽电子
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