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NTD60N02RT4G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NTD60N02RT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta),32A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1330pF @ 20V

功率 - 最大值:1.25W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:D-Pak

其它名称:NTD60N02RT4GOSNTD60N02RT4GOS-NDNTD60N02RT4GOSTR

供应商NTD60N02RT4G
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NTD60N02RT4GN-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1017.75 Kbytes共8页NTD60N02RT4G的PDF下载地址
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