Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：75
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：8.1A
Rds（最大）@ ID，VGS：9.6 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：16.2nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：1035pF @ 12V
功率 - 最大：1.1W
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak
包装材料
：Tube
包装：3IPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：30 V
最大连续漏极电流：10 A
RDS -于：9.6@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：12 ns
典型上升时间：20 ns
典型关闭延迟时间：14 ns
典型下降时间：3 ns
工作温度：-55 to 175 °C
安装：Through Hole
标准包装：Rail / Tube
最大门源电压：±20
包装宽度：2.38(Max)
PCB：3
最大功率耗散：1640
最大漏源电压：30
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：9.6@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：IPAK
最高工作温度：175
渠道类型：N
包装长度：6.73(Max)
引脚数：3
包装高度：6.35(Max)
最大连续漏极电流：10
封装：Rail
标签：Tab
铅形状：Through Hole
类别：Power MOSFET
配置：Dual Drain, Single
外形尺寸：6.73 x 2.38 x 7.49mm
身高：7.49mm
长度：6.73mm
最大漏源电阻：9.6 mΩ
最高工作温度：+175 °C
最大功率耗散：1.1 W
最低工作温度：-55 °C
安装类型：Through Hole
包装类型：IPAK
典型栅极电荷@ VGS：8.1 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS：1035 pF V @ 12
宽度：2.38mm
RoHS指令：Compliant
晶体管极性：N-Channel
连续漏极电流：44 A
正向跨导 - 闵：40 S
RDS（ON）：13.6 mOhms
安装风格：Through Hole
功率耗散：35.7 W
封装/外壳：IPAK
栅极电荷Qg：8.1 nC
上升时间：20 ns
漏源击穿电压：30 V