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NTD4860NT4G /MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
NTD4860NT4G的规格信息
NTD4860NT4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:NTD4860N

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor

下降时间:4.3 ns, 2.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20.1 ns, 17 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15.2 ns, 22 ns

典型接通延迟时间:12.2 ns, 7.1 ns

单位重量:4 g

供应商NTD4860NT4G
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现代芯城(深圳)科技有限公司NTD4860NT4Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NTD4860NT4G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城(深圳)科技有限公司NTD4860NT4G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTD4860NT4G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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NTD4860NT4GN-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1016.84 Kbytes共8页NTD4860NT4G的PDF下载地址
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NTD4860NT4GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK2500+:¥1.61+:¥3.94
10+:¥2.89
100+:¥1.81
1000+:¥1.61
2500+:¥1.53
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NTD4860NT4GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK2500+:¥1.6
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NTD4860NT4GON SemiconductorMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK$0.94000
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NTD4860NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK1:¥6.5314
10:¥5.5483
100:¥4.2601
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2,500:¥2.6329
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100000+:¥1.31+:¥1.41+:¥1.97
25+:¥1.95
50+:¥1.93
100+:¥1.91
300+:¥1.88
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立创商城
NTD4860NT4GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.4A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.28W 类型:N沟道1+:¥2.52
10+:¥1.91
30+:¥1.8
100+:¥1.69
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立创商城
NTD4860NT4GVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.4025
10+:¥1.0363
30+:¥0.9691
100+:¥0.9018
500+:¥0.872
1000+:¥0.8572