FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：115pF @ 20V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.04W（Ta），20.8W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：95 毫欧 @ 5A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package：DPAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：25V
连续漏极电流ID：14A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：115pF @ 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 5A，10V
FET 类型：N 沟道
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs