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NSBA124EDXV6T1G /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
NSBA124EDXV6T1G的规格信息
NSBA124EDXV6T1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

配置:Dual

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:22 kOhms

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

直流集电极/Base Gain hfe Min:60

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:- 0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:357 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSBA124EDXV6

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:60

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

宽度:1.2 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:4000

子类别:Transistors

单位重量:3 mg

供应商NSBA124EDXV6T1G
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