DC 电阻（DCR）：31.2 毫欧最大

频率 - 自谐振：45MHz

工作温度：-25°C ~ 120°C

频率 - 测试：100kHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：非标准

尺寸 ：0.236" 长 x 0.236" 宽（6.00mm x 6.00mm）

高度 - 安装（最大值）：0.177"（4.50mm）

类型：绕线

材料 - 磁芯：铁氧体

感值：3µH

偏差：±30%

额定电流：3.2A

电流 - 饱和值：5A

屏蔽：屏蔽

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1450pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs