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NP50P06SDG-E1-AY /Renesas Electronics America/分立半导体产品
NP50P06SDG-E1-AY的规格信息
NP50P06SDG-E1-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5000pF @ 10V

功率 - 最大值:1.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252(MP-3ZK)

供应商NP50P06SDG-E1-AY
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现代芯城(深圳)科技有限公司NP50P06SDG-E1-AYwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司NP50P06SDG-E1-AY深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳欧芯亿电子科技有限公司NP50P06SDG-E1-AY深圳市福田区华匀大厦2栋528室18664962775
18664962775
欧阳小姐,elenEmail:415025039@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司NP50P06SDG-E1-AY深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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