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NP40N055MLE-S18-AY /Renesas Electronics America/分立半导体产品
NP40N055MLE-S18-AY的规格信息
NP40N055MLE-S18-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

供应商NP40N055MLE-S18-AY
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NP40N055MLE-S18-AYMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO213.79 Kbytes共10页NP40N055MLE-S18-AY的PDF下载地址RJK6014DPP,2SK4178,NP40N055EHE,UPA2450,2SK1739A,NP36P06SLG,2SK700,SSM3J120TU,TK15H50C,SSM3J16FS
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