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NP36P04SDG-E1-AY /MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
NP36P04SDG-E1-AY的规格信息
NP36P04SDG-E1-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Renesas Electronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:36 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.1 mm

商标:Renesas Electronics

下降时间:140 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:250 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:340 mg

供应商NP36P04SDG-E1-AY
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现代芯城(深圳)科技有限公司NP36P04SDG-E1-AYwww.nowchip.com0755-27381274
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