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NP32N055SHE-E1-AY /Renesas Electronics America/分立半导体产品
NP32N055SHE-E1-AY的规格信息
NP32N055SHE-E1-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V

功率 - 最大值:1.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252(MP-3ZK)

供应商NP32N055SHE-E1-AY
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