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NP2301AMR-G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道
NP2301AMR-G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.2W

类型P沟道

供应商NP2301AMR-G
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NP2301AMR-G连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道natlinear(南麟)natlinear(南麟)的LOGO662.18 Kbytes共5页NP2301AMR-G的PDF下载地址
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NP2301AMR-Gnatlinear(南麟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道20+:¥0.168443
200+:¥0.128281
600+:¥0.120904
2000+:¥0.113528
10000+:¥0.110249
20000+:¥0.108629