标准包装：800
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：110A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：390nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：25700pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263