制造商:NJR

产品种类:射频放大器

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:EPFFP-6

类型:Low Noise Amplifier with Bypass for LTE

技术:Silicon

工作频率:1805 MHz to 2200 MHz, 2300 MHz to 2690 MHz

P1dB - 压缩点:- 8.5 dBm

增益:15 dB

工作电源电压:1.5 V to 3.3 V

NF—噪声系数:0.7 dB

测试频率:2000 MHz, 2500 MHz

OIP3 - 三阶截点:-

工作电源电流:4.8 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 105 C

系列:NJG1170

封装:Reel

商标:NJR

通道数量:1 Channel

输入返回损失:9 dB

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:430 mW

产品类型:RF Amplifier

工厂包装数量:5000

子类别:Wireless & RF Integrated Circuits