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NGTG35N65FL2WG /IGBT 晶体管 650V/35A FAST IGBT FSII T
NGTG35N65FL2WG的规格信息
NGTG35N65FL2WG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:70 A

Pd-功率耗散:300 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:35 A

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:30

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商NGTG35N65FL2WG
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