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NE97733-T1B-A /CEL/分立半导体产品
NE97733-T1B-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:8.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB @ 1GHz

增益:12dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23

供应商NE97733-T1B-A
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NE97733-T1B-APNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO477.68 Kbytes共5页NE97733-T1B-A的PDF下载地址
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NE97733-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR, 8.5 GHZ FT, ROHS COMP - Tape and Reel3,000 : $2.3861
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