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NE5550979A-T1-A /CEL/分立半导体产品
NE5550979A-T1-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF FET

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:LDMOS

频率:900MHz

增益:22dB

电压 - 测试:7.5V

额定电流:3A

噪声系数:-

电流 - 测试:200mA

功率 - 输出:38.6dBm

电压 - 额定:30V

封装/外壳:79A

供应商器件封装:79A

供应商NE5550979A-T1-A
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NE5550979A-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)1000+:¥40.161+:¥59.3
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NE5550979A-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET ROHS DIRECTIVE COMPLIANT - Tape and Reel1,000 : $5.0315
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NE5550979A-T1-ARenesas Electronics America IncRF N-CHANNEL POWER MOSFET$2.88000
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NE5550979A-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG1,000 : $4.59
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