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NDUL09N150CG /MOSFET NCH 1500V 9A
NDUL09N150CG的规格信息
NDUL09N150CG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:114 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:5.2 S

下降时间:111 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:75 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:500 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:7 g

供应商NDUL09N150CG
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