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NDP6030L / MOSFET N-Channel FET LL Enhancement
NDP6030L的规格信息
NDP6030L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:52 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :16 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:75 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:108 ns

最小工作温度:- 65 C

上升时间:130 ns

系列:NDP6030

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:8 ns

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NDP6030LN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO357.86 Kbytes共7页NDP6030L的PDF下载地址FDP7030L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP4060L,NDP6060L,NDS331N
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NDP6030LFairchild Semiconductor Corporation 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-22097 : $0.375
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