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NCV8402AMNWT1G /MOSFET 165MOHM 2A LOW-SIDE SMAR
NCV8402AMNWT1G的规格信息
NCV8402AMNWT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:42 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:165 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:14 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:8.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:NCV8402A

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:50 us

产品类型:MOSFET

上升时间:120 us

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 us

典型接通延迟时间:25 us

供应商NCV8402AMNWT1G
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