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NCV5104DR2G /
NCV5104DR2G的规格信息
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驱动配置:半桥

通道类型:同步

驱动器数:2

栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:10 V ~ 20 V

逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.3V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):250mA,500mA

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):600V

上升/下降时间(典型值):85ns,35ns

工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NCV5104DR2G
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深圳市华兴微电子有限公司NCV5104DR2G华强广场A座14B13202105858
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深圳市成源运利电子科技有限公司NCV5104DR2G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市天卓伟业电子有限公司NCV5104DR2G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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NCV5104DR2GON Semiconductor门驱动器 NCV5104 AUTO-STND IN1:¥17.7523
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