NCE30D2519K
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc),19A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道和P沟道
NCE30D2519K的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc),19A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)21W(Tc)
类型N沟道和P沟道
NCE30D2519K
NCE30D2519K及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
NCE30D2519K | NCE N&P-Channel V Complementary MOSFET | NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd] | ![NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/850NCEPOWER.GIF) | 479.59 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
NCE30D2519K的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | NCE30D2519K | 无锡新洁能 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc),19A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道和P沟道 | 1+:¥1.3627 10+:¥1.0679 30+:¥1.0137 100+:¥0.9595 500+:¥0.9355 1000+:¥0.9236
|