不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：150pF @ 5V
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.5nC @ 4V
漏源电压（Vdss）：20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
Vgs（最大值）：±8V
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs