不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：45pF @ 5V
功率耗散（最大值）：225mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 300mA，10V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
漏源电压（Vdss）：20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
Vgs（最大值）：±20V
供应商器件封装：SOT-23-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs