FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：750mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：125pF @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：400mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 1.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：0.75A

无铅情况/RoHs：否